背景
半導体ウエアのロット管理をするうえでウエハマークは欠かせない存在です。一般的にはパルスレーザーをシリコンウエハに照射してウエハIDをマーキングします。レーザー照射によりシリコンウエハ表面上にできる凹みを格子状に並べ、ドットマトリックスと呼ばれる配列を形成して、文字やコードとしてマーキングします。 近年ではウエハの高密度化が進むとともに、薄型化も進んできており、マーキングサイズの微細化が求められ、レーザーマーキング技術の高精度化が必要となってきています。
オリンパスのソリューション
オリンパスのオプトデジタルマイクロスコープDSXは、高速でピント位置を移動して複数の画像を撮影することで、最終的に視野全体にピントが合った画像を撮影することができるEFI機能を搭載しています。これによりシリコンウエハ表面からレーザーマークの底までピントが合った画像を簡単に撮影することができます。また、各種測定機能も搭載しているので、レーザーマークの径、配列、ドットの深さなども精度良く測定することができます。
商品の特徴
- 高分解能高解像観察
- 視野全体にピントが合わせられるEFI機能
- 各種寸法測定機能
- 特徴点を際立たせる多様な画像処理
- 微分干渉
- 特別なスキルがなくても、誰にでも高品質な結果が得られるガイダンス機能
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